Samsung revela módulo DDR5 com 512GB de capacidade

Foi a vez da Samsung revelar as suas memórias RAM DDR5, que poderão ter uma capacidade máxima de 512GB, e velocidade máxima de 7200 MHz.

Com a chegada dos futuros processadores Intel Alder Lake-S, previstos para o final do ano, bem como os novos processadores AMD Ryzen 6000, com arquitectura Zen 4 para 2022, chegarão as novas memórias DDR5, como as da SK Hynix, ou as da Longsys, estas últimas já reveladas a trabalhar a 4800 MHz.

Agora foi a vez da Samsung revelar as suas memórias DDR5, produzidas pela própria Samsung, com chips que utilizam a tecnologia High-K Metal Gate (HKMG), a mesma tecnologia utilizada para a criação de chips de memória gráfica GDDR6, que garante maior densidade de armazenamento de memória.

O módulo apresentado utiliza 32 chips de 16GB cada, tornando-se assim possível criar módulos de memória RAM DDR5 com uma capacidade máxima de 512GB. Estas memórias, que poderão atingir frequência máxima de 7200 MH/s, irão garantir até 57.6 GB/s de largura de banda por canal, valor esse que poderá subir até 460 GB/s usando um sistema de oito canais de memória, como acontece em servidores e supercomputadores.