A Kioxia e a Sandisk apresentaram, na conferência ‘Future of Memory and Storage’, a nova memória BiCS10 3D QLC NAND. Segundo as empresas, é o dispositivo NAND 3D com a «maior densidade de armazenamento formalmente anunciada» até à data.
O chip tem 37 Gb/mm², acima dos mais de 29 Gb/mm² do BiCS10 3D TLC NAND apresentado anteriormente pelas fabricantes. A diferença resulta, em parte, da tecnologia QLC, que «guarda quatro bits por célula, em vez dos três bits da memória TLC». Na prática, isto significa que pode armazenar «mais informação na mesma área de silício».
O novo componente tem «332 camadas activas» e uma interface capaz de atingir «4800 MT/s». A BiCS10 tem, ainda, uma arquitectura de comando e endereço separados, uma funcionalidade que ajuda a acelerar a comunicação entre a memória e o controlador do SSD.
A Kioxia e a Sandisk integraram ainda a técnica PI-LTT, sigla para ‘power-isolated low-tapped termination’ – o objectivo passa por «reduzir o consumo dos controladores de saída de alta velocidade sem comprometer a integridade do sinal».
Quando a produção atingir os níveis de rendimento previstos, as duas marcas esperam, também, «reduzir os custos» face a outros chips QLC de elevada densidade. «Ao redefinir os limites de desempenho e eficiência da NAND QLC, a memória flash 3D BiCS de décima geração oferece melhorias simultâneas na densidade, largura de banda e eficiência energética», afirmou Alper Ilkbahar, director de tecnologia da Sandisk.
A capacidade exacta do novo chip não foi divulgada, mas, com base no chip BiCS10 TLC de 1 Tb apresentado em Julho e, assumindo um número semelhante de células e dimensões próximas, poderá rondar os 1,33 Tb.
A Kioxia e a Sandisk indicam que o primeiro destino desta memória serão os SSD de centros de dados. Ainda não há informação sobre uma eventual utilização em SSD para computadores pessoais ou sobre a data de disponibilidade comercial.
