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A ler: Novas memórias flash QLC da Samsung permitem construir SSD M.2 com 16 TB
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PCGuia > Notícias > Hardware > Novas memórias flash QLC da Samsung permitem construir SSD M.2 com 16 TB
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Novas memórias flash QLC da Samsung permitem construir SSD M.2 com 16 TB

As memórias flash QLC da Samsung têm uma densidade maior que as actuais e podem possibilitar a comercialização de SSD com muito mais capacidade.

Pedro Tróia
Publicado em 31 de Janeiro, 2024
Tempo de leitura: 3 min
SSD
Foto de Marc PEZIN na Unsplash

As células de memória multi-nível, ou MLC, podem guardar mais que um único bit de informação ao mesmo tempo. Por isso, estas memórias são usadas em praticamente todos os dispositivos de memória ‘solid state’ actuais. Mas a Samsung quer começar a usar um novo tipo de memórias flash, chamado QLC (Quad-level memory cells), que oferece uma maior densidade que as usadas actualmente.

A empresa coreana planeia apresentar as novas memórias flash QLC na International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) da IEEE, que se realiza em São Francisco entre 18 e 22 de Fevereiro. As memórias QLC têm 280 camadas, o que corresponde a uma densidade de 28,5 Gb por milímetro quadrado, que pode permitir à Samsung comercializar SSD M-2 com até 16 TB de capacidade. Os novos chips QLC NAND V9 da Samsung também são mais rápidas, com uma taxa de transferência máxima de 3,2 Gbps, mais 1 Gbps em relação à geração anterior. No entanto, a velocidade de transferência das memórias QLC ainda é mais lenta que a das memórias usadas na actualidade.

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A Samsung tem afirmado que as memórias flash NAND QLC são o futuro do armazenamento de dados solid state, visto que a tecnologia TLC estão prestes a chegar ao máximo da sua capacidade possível. A maior densidade dos chips QLC também pode baixar os custos de produção.

A apresentação de Fevereiro da Samsung pode vir a confirmar que a empresa está a progredir significativamente no desenvolvimento da tecnologia QLC. Os SSD actuais que usam este tipo de memórias usam uma grande quantidade de memória cache (que pode chegar a 25% da capacidade total da drive) para tentar minimizar a redução de desempenho. Quando essa memória fica cheia, as velocidades de escrita baixam para um intervalo entre os 100 e os 300 MBps.

A Samsung não é a única que está a desenvolver a tecnologia QLC, a Micron anunciou o desenvolvimento de um chip QLC com 232 camadas e uma capacidade de 19,5 Gb por milímetro quadrado. A YMTC também está a desenvolver uma solução de armazenamento QLC com 232 camadas e uma densidade de 20,62 Gb por milímetro quadrado.

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Etiquetas:memória flashNANDQLCSamsung
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