Uma notícia do website Geeky-Gadgets dá conta que a Samsung está a desenvolver a terceira geração da DRAM DDR4 de 8Gb, que vai ser produzida, através de um processo de fabrico de 10 nanómetros (1z-nm), no segundo semestre deste ano.
O desenvolvimento desta memória de 1z-nm, segundo a empresa sul-coreana, ajuda a acelerar a transição das TI para a próxima geração das interfaces DRAM, incluindo DDR5, LPDDR5 e GDDR6.
A Samsung fez ainda saber que a nova DDR4 de 8Gb estará disponível para servidores da próxima geração e novos computadores topo de gama que vão chegar ao mercado em 2020.
