A SK Hynix iniciou a disponibilização das primeiras amostras de testes e certificação das novas memórias DRAM para dispositivos móveis, que terão a designação de LPDDR5T, que corresponde a Low Power Double Data Rate 5 Turbo.
Estes chips de memória, que deverão oferecer um desempenho que pode ser até 13% superior face às actuais LPDDR5X, reveladas em Novembro passado, deverão consumir apenas entre 1.01 a 1.12 Volts, mas garantir ao mesmo tempo uma largura de banda que pode chegar a uns impressionantes 9.6 Gigabit de dados por segundo (Gbps).
Segundo responsáveis do fabricante, os chips de memória que foram fornecidos a clientes têm uma capacidade de 16 Gigabytes por chip, utilizando uma estrutura de múltiplas camadas, e estão preparados para lidar com 77 GB de dados por cada segundo, o que corresponde à transferência de 15 filmes de alta resolução (em RAW) por segundo.
Estes chips serão fabricados a 10 nm, e deverão, futuramente, permitir a utilização da tecnologia de isolamento de transístores HKMG (High-K Metal Gate), que deverá permitir explorar ainda mais as capacidades de desempenho destes chips de memórias LPDDR5T, até que sejam decididas as normas para a futura geração de memórias LPDDR6.
