A Samsung anunciou o desenvolvimento de um novo tipo de chips de memória DRAM, compatível com as actuais normas DDR5, mas que utiliza um evoluído processo de fabrico de 12 nm, graças à aplicação de um processo de litografia EUV (Extreme UltraViolet) de múltiplas camadas, que permitem aumentar a densidade em 20%, e reduzir o consumo energético em 23%, face às soluções actualmente disponíveis.
Segundo a Samsung, estes chips de memória SDRAM DDR5 já foram certificados pela AMD, e estão preparados para serem implementados em sistemas de nova geração, como data-centers e estações de trabalho da AMD. Capazes de oferecer uma largura de banda de até 7.2 Gbps, estes chips permitem o processamento de um filme e UHD de 30 GB em apenas um segundo.
A sua produção em massa terá início já no início do próximo ano. A Samsung espera aplicar este inovador processo de fabrico a outros tipos de chips de memória, por forma a reforçar a sua posição em diversos outros segmentos de mercado.
