Durante a conferência Hot Chips 33, a Samsung revelou ter iniciado a produção de chips de memória DDR5, e que estes terão um melhor desempenho, serão mais rápidas, maior capacidade e um menor consumo energético que as actuais DDR4. Inicialmente estes módulos serão disponibilizados para servidores e data-centers, sendo mais tarde disponibilizados para os sistemas de consumo.
Recorrendo à tecnologia 8-Hi TSV (Through-Silicon-Vias) stack, os chips de memória utilizados nestes módulos utilizarão um total de 8 camadas num espaço de 1.0 mm, sendo garantida uma capacidade máxima de 512 GB, através do recurso a 20 chips de memória DDR5. Esta capacidade só é possível graças à implementação da tecnologia High-K Metal Gate, que por sua vez permite que estes módulos consigam atingir os 7.2 Gbps com apenas 1.1 V de alimentação.
