A SK Hynix anunciou a aplicação de um novo processo no fabrico dos seus chips de memória, designado de HKMG (High-K Metal Gate), que melhora o isolamento em torno dos transístores dos seus chips de memória, reduzindo assim possíveis fugas de energia.
O resultado final é, segundo responsáveis da marca, a possibilidade de chips de memória produzidos com esta tecnologia de verem o seu consumo de energia reduzido em 25%. Isto permitirá à marca conseguir, finalmente, produzir chips de memória do tipo LPDDR5X de alto desempenho, com velocidades que podem chegar aos 8.5 Gbps, e consumir entre 1.01 a 1.12 Volts.
Até ao momento, só a Samsung era capaz de produzir chips de memória do tipo LPDDR5X com estas características. Para já, a SK Hynix não revela quais os potenciais clientes destes novos chips de memória, mas estima-se que possam ser fabricantes de dispositivos móveis, como a Apple.
