Foi durante a IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) que engenheiros da Samsung Foundry, a divisão responsável pelo desenvolvimento e fabrico de materiais semicondutores, revelaram detalhes em concreto sobre o futuro processo de fabrico de 3nm, que utilizará uma tecnologia proprietária designada de MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor).
O chip de memória SRAM (Static Random-Access Memory) demonstrado tinha uma arquitectura muito simples, mas permitiu comprovar os avanços no desenvolvimento deste novo processo de fabrico, que deverá ficar totalmente operacional durante 2022, não só para o fabrico de memórias como de outros componentes semicondutores, como processadores lógicos como SoC (System-on-Chip) como os Exynos, ou até mesmo GPU para clientes como a Nvidia.
O que diferencia a tecnologia MBCFET, aqui utilizada é que esta permite aplicar material específico que irá envolver a totalidade dos canais de comunicação entre os transístores, que podem ser em nanofios (nanowires) ou nanofolhas (nanosheet), permitindo assim ajustar o diâmetro desses mesmos canais, como forma de optimizar o desempenho, ou o consumo energético. Canais mais estreitos permitirão poupar energia, e o contrário permitirá aumentar o desempenho.
Segundo os responsáveis da Samsung Foundry, esta solução permitirá, ao processo de fabrico de 3nm MBCFET, face ao actual processo de fabrico de 7nm, garantir uma poupança de energia de 50% (garantindo o mesmo desempenho), aumentar o desempenho em 30% (usando o mesmo consumo energético) e aumentar a densidade até 80%, permitindo assim reunir uma maior quantidade de memória e componentes lógicos num só chip.
