A Samsung anunciou a entrada em produção de um chip Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 de 512GB, baseado na quinta geração da memória flash V-NAND, para ser utilizado em smartphones.
A empresa sul-coreana avança que este chip oferece uma velocidade sequencial de leitura até 2100 MB/s, uma velocidade sequencial de escrita que pode atingir os 410 MB/s, bem como velocidades de leitura e escrita aleatórias de 63 000 e 68 000 IOPS, respectivamente.
A Samsung fez ainda saber que espera iniciar a produção dos chips de 256GB e 1TB durante o segundo semestre deste ano.
Via Engadget, Samsung.
