A Samsung iniciou a produção de um chip de armazenamento eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 de 512GB, o qual foi desenhado especialmente para os smartphones topo de gama.
A empresa sul-coreana garante que o novo chip oferece uma velocidade sequencial de leitura até 2100 MB/s e uma velocidade sequencial de escrita na ordem dos 1200 MB/s. Já as velocidades de leitura e escrita aleatórias podem atingir os 100000 IOPS e 70000 IOPS, respectivamente.
A Samsung está também a planear disponibilizar chips eUFS 3.1 com 128GB e 256GB de capacidade durante o segundo semestre, os quais devem marcar presença nos smartphones topo de gama que vão chegar às lojas em 2021.
