A Samsung anunciou o lançamento da nona geração de memórias flash V-NAND com células de quatro níveis (QLC). Este tipo de memória NAND armazena quatro bits de dados por célula, daí o nome célula de quatro níveis, isto corresponde a mais um bit do que a memória NAND tradicional com células de três níveis. De acordo com a Samsung, estas memórias foram concebidas para satisfazer a procura de soluções de armazenamento de alta capacidade exigidas pelas aplicações de IA.
A Samsung afirma que a sua nova memória V-NAND QLC de nona geração foi concebida para a era da inteligência artificial porque possui o maior número de camadas para este tipo de memória flash alguma vez fabricado. O anúncio não diz quantas, mas, no início deste ano, foi sugerido que seriam 280 camadas. Actualmente, a memória V-NAND de oitava geração da empresa oferece 236 camadas, o que representa um aumento em relação às 176 camadas da sua V-NAND da geração anterior.
No início deste ano, a Samsung anunciou a nona geração da sua memória flash TLC, e disse que a versão QLC chegaria no final deste ano. Agora, está oficialmente aqui e completa o portefólio de memórias flash da empresa. A Samsung diz que aprendeu novas técnicas de fabrico com o lançamento da memória flash TLC de nona geração que foram aplicadas à versão QLC.
A Samsung promete grandes ganhos em desempenho e eficiência para a sua memória NAND QLC de 9ª geração. Diz que alcançou um aumento na densidade de bits de aproximadamente 86% e que o desempenho de escrita foi duplicado graças à tecnologia preditiva que pode antecipar alterações nos estados das células. Diz também que o consumo de energia de leitura e escrita diminuiu 30% e 50%, respectivamente, em comparação com às memórias V-NAND de 8ª geração.
