A Samsung desenvolveu a primeira DRAM DDR5 com 32 gigabits, que também é a capacidade mais alta de sempre, que é fabricada segundo um processo de 12 nm. Esta memória, vai permitir à Samsung produzir módulos de memória DDR5 com 1 TB de capacidade. Mas os benefícios não se ficam apenas pela maior capacidade: se esta memória de 12 nm for comparada com a memória actual com 16 Gb, verifica-se uma redução de 10% no consumo energético nos módulos de 128 GB de capacidade.
De acordo com SangJoon Hwang, o presidente da divisão DRAM Product & Technology da Samsung, os consumidores iniciais para as novas memórias com 1 TB serão centros de dados, aplicações de inteligência artificial e biga data:
“Com a nova memória DRAM de 32 Gb de 12 nm, conseguimos criar uma solução que permitirá a construção de módulos de memória com capacidades até 1 TB. O que nos permite posicionarmo-nos para dar resposta às necessidades crescentes de memórias DRAM de alta capacidade na era da inteligência artificial e big data. Vamos continuar a desenvolver soluções DRAM usando processos e tecnologias de design diferenciadas para ir além dos limites da tecnologia de memória.”
A Samsung espera começar a produzir em massa as memórias DDR5 de 32 Gb antes do final de 2023.
