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A ler: Samsung anunciou os primeiros chips de memória GDDR7
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HardwareNotícias

Samsung anunciou os primeiros chips de memória GDDR7

Os chips GDDR7 de primeira geração conseguem da Samsung atingir os 32 Gbps.

Pedro Tróia
Publicado em 21 de Julho, 2023
Tempo de leitura: 3 min
Chip Samsung
Imagem - Depositphotos

A Samsung anunciou que concluiu o desenvolvimento dos primeiros chips DRAM Graphics Double Data Rate 7, GDDR7. Isto indica que, nos próximos meses, ou o mais tardar no início de 2024, as primeiras amostras vão começar a chegar aos fabricantes de placas gráficas para os primeiros testes.

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Aparentemente, a empresa coreana está bastante à frente dos seus concorrentes directos, a SK Hynix está focada no desenvolvimento de memórias HBM3E e HBM3 de 12 camadas para aplicações de Inteligência Artificial e GPU de alto desempenho (HPC GPU) com a esperança de se tornar o principal fornecedor da Nvidia para a próxima geração de produtos para o mercado profissional. A Micron está a desenvolver as suas próprias memórias GDDR7, mas não deve apresentar nada de novo antes de 2024. Apesar disto, ainda deve ir a tempo de poder fornecer memórias para as gráficas da próxima geração da Intel, AMD e Nvidia.

Os chips de memória GDDR7 de primeira geração da Samsung conseguem atingir velocidades de até 32 Gbps por cada pino, o que corresponde a um aumento de 33% de velocidade em relação aos melhores chips GDDR6 da actualidade. Para conseguir obter este ganho de velocidade a Samsung está a usar sinalização PAM-3, porque é um meio-termo entre o sistema NRZ das memórias GDDR6 e o PAM-4, usado nas memórias GDDR6X. A empresa diz que ainda há espaço para melhorar e que os seus chips podem vir a atingir 36 Gbps por pino, mais 50% de velocidade em relação às memórias GDDR6.

GDRR7_Samsung
Imagem – Samsung

Em termos de capacidade, os novos chips GDDR7 da Samsung são iguais aos GDDR6 e GDDR6X com 2 GB por unidade, isto fica a dever-se à dificuldade em conseguir integrar mais células DRAM no mesmo espaço. Este factor vai fazer com que os fabricantes de placas gráficas não vão conseguir fazer evoluir facilmente o design dos seus produtos em relação aos actuais. Alegadamente, a Samsung está interessada em ultrapassar esta limitação através de tecnologias que permitem empilhar mais células, como a 3D X-RAM da Neo Semiconductor.

O processo de fabrico que a Samsung está a usar nas memórias GDDR7 é o D1z, exactamente o mesmo utilizado para construir os chips GDDR6 de 24 Gbps. As novas memórias funcionam com uma voltagem nominal de 1,2 V e, segundo a empresa, foi conseguida uma redução de 70% na resistência térmica em comparação as memórias GDDR6, o que vai facilitar o funcionamento dos sistemas de refrigeração das futuras placas gráficas.

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Etiquetas:GDDR6GDDR7Memória RAMSamsung
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