A corrida para o processo de fabrico mais eficiente parece estar agora nas mãos da Samsung, agora que a Samsung Foundry anunciou o início da produção em massa de componentes semicondutores em 3 nm, antes da rival TSMC. Para atingir tal feito, a Samsung teve que abandonar a anterior arquitectura FinFET (de transístor de efeito de campo Fin), adoptando a mais eficaz Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET).
Enquanto a arquitectura FinFET, que utiliza transístores tridimensionais para evitar os possíveis saltos de energia entre transístores sentidos em arquitecturas planas, estes tinham as suas limitações para processos de fabrico com transístores mais estreitos.
Para tal, a Samsung desenvolveu a arquitectura MBCFET, uma solução mais avançada da tecnologia GAA (Gate-All-Arround), que recorre a transístores em forma de nanocamadas, com largura ajustável para permitir reduzir o consumo de energia, ao mesmo tempo que aumenta o desempenho na passagem da corrente eléctrica.
Segundo a Samsung, utilizando este processo, é possível obter-se uma redução de consumo até 45%, aumento de desempenho até 23% e reduzir a área utilizada em 16%, comparativamente a um transístor produzido a 5 nm. Para conseguirem tal feito, foi fundamental o trabalho desenvolvido em parceria com empresas como a Ansys, Cadence, Siemens e Synopsys.
