A Samsung Semiconductor revelou na sua conta do Twitter, o lançamento da sua primeira solução de armazenamento de memória Flash universal (UFS) de quarta geração (UFS 4.0), que deverá garantir melhorias significativas face às actuais soluções de alto desempenho do tipo UFS 3.1.
Recorrendo a um processo de fabrico designado de V-NAND de 7ª Geração, estes chips de armazenamento incluirão um controlador proprietário, que permitirá atingir velocidades de leitura sequenciais até 4200 MB/s, e velocidades de escrita sequenciais até 2800 MB/s, o que coloca estes chips ao nível de uma unidade SSD PCIe 3.0 NVMe, embora com a vantagem de tudo estar integrado num só chip.
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BREAKING: Samsung has developed the industry’s highest performing Universal Flash Storage (UFS) 4.0 storage solution, which has received JEDEC® board of director approval. What is UFS 4.0 and what does it mean for the future of storage? Read on to learn more. pic.twitter.com/4Wxdu0J2PD
— Samsung Semiconductor (@SamsungDSGlobal) May 3, 2022
Segundo a Samsung,esta nova solução de armazenamento deverá oferecer uma melhoria de 46% em termos de eficiência energética face à anterior geração, oferecendo ao mesmo tempo o dobro da largura de banda da actual geração UFS 3.1, ou seja, 23.2 Gbps.
Estes novos chips estarão disponíveis com 1 TB de capacidade máxima, e deverão começar a ser utilizados em dispositivos móveis já em 2023. Esta afirmação coloca a futura família de smartphones Galaxy S23 como sendo os primeiros smartphones a virem equipados com esta tecnologia.
