Desde há muito tempo, que a memória RAM e o armazenamento permanente de dados são dois componentes separados nos dispositivos de computação. Vários fabricantes têm tentado combinar as vantagens da memória RAM e da memória NAND num único componente, mas os resultados têm sido muito limitados. Agora, um novo tipo de memória não volátil chamado UltraRAM, demonstrou que é possível, mas ainda tem algum caminho a percorrer até chegar ao mercado.
A fusão entre a memória de acesso aleatório (RAM), que é apagada quando o dispositivo é desligado, e a memória de armazenamento de dados permanente não é uma ideia nova, mas, até agora, ninguém conseguiu materializar esse conceito num produto comercial de sucesso. Isto não quer dizer que a pesquisa e desenvolvimento deste tipo de hardware tenha parado.
No princípio de Janeiro, uma equipa do Physics and Engineering Department da Universidade de Lancaster no Reino Unido, publicou um paper que demonstra um progresso importante no objectivo de produzir em massa a UltraRAM.
A UltraRAM é descrita como uma tecnologia de memória que “combina a permanência da memória de armazenamento, com a velocidade, poupança de energia e resistência da memória de trabalho, como é o caso da DRAM.” Se já ouviu falar disto, é porque a Intel já tinha tentado juntar memória DRAM e armazenamento flash, com a tecnologia Optane, que teve uma aplicação algo limitada. A Samsung tem uma tecnologia chamada Z-NAND e a Kioxia em conjunto com a Western Digital, querem também integrar memória XL-FLASH em futuras soluções de armazenamento para os mercados doméstico e empresarial.
Os materiais utilizados para fabricar a UltraRAM são os mesmos usados em dispositivos como LED, Lasers, fototransístores e fotodíodos. O último avanço conseguido pela equipa da Universidade de Lancaster, foi um grande melhoramento de desempenho quando a UltraRAM é fabricada usando um substrato de silício em vez de um substrato de Arseneto de Gálio, que pode ser 1000 vezes mais caro.
Isto quer dizer que a UltraRAM tem potencial para ser uma solução de memória com preços mais baixos. A equipa de desenvolvimento diz que os protótipos que testaram podem manter dados durante 1000 anos e manter-se livre de degradação durante mais de 10 milhões de ciclos de gravação/apagamento. Estes resultados são suficientes para despertar o interesse das grandes fabricantes de tecnologias de memória, principalmente se a UltraRAM for (pelo menos) tão rápida quanto a memória RAM tradicional.
Outra vantagem desta nova tecnologia, é explorar um efeito mecânico quântico que permite a uma barreira passar de opaca a transparente, quando é aplicada voltagem. Este processo gasta muito menos energia quando comparado com as tecnologias usadas nas memórias RAM e flash. Isto pode levar a um aumento significativo da autonomia das baterias dos dispositivos móveis que usem esta tecnologia.
O mesmo processo, permite criar uma arquitectura muito compacta, com uma grande densidade de bits, o que, em teoria, pode permitir aos fabricantes fabricarem chips de memória com mais capacidade. A equipa da Universidade de Lancaster dizem que ainda têm de melhorar mais o processo de fabrico das células de memória, mas esta tecnologia tem muito potencial para permitir a criação de dispositivos com capacidades de processamento na memória, porque remove a necessidade de os dados serem passados do processador para a memória RAM e depois para o armazenamento.
