Micron anuncia novo processo de fabrico de memória flash que permite mais densidade, mais velocidade e menor custo

Os primeiros produtos baseados nesta nova tecnologia da Micron devem chegar primeiro ao mercado profissional e mais tarde ao mercado de consumo.
NAND_Micron

A Micron anunciou esta semana que o novo processo de fabrico de memórias flash que permite dispositivos com 176 camadas já entrou em produção tendo começado já a distribuir as primeiras unidades. Esta nova tecnologia de fabrico de memórias 3D NAND permite mais densidade, mais longevidade, mais desempenho a custos mais baixos.

O novo processo de fabrico marca o início da quinta geração de memórias NAND e a segunda geração em que é implementada a chamada arquitectura replacement-gate que substituiu a arquitectura floating-gate usada no passado pela Intel e pela Micron.

O novo processo de fabrico de memórias NAND 3D consegue integrar mais células no único chip, o que aumenta a densidade do armazenamento, latências menores e mais eficiência energética. Em contraste, a arquitectura floating-gate usada pela Micron permite 96 camadas e a geração anterior da arquitectura replacement-gate permitia 128, já o processo BiCS5 da Western Digital permite 112 camadas.

O aumento da quantidade possível de camadas permite diminuir o tamanho do chip mantendo o mesmo número de células. Segundo a Micron os novos chips são 30% mais pequenos que os anteriores. Isto permite aumentar bastante a capacidade em dispositivos com formatos mais reduzidos. Isto quer dizer que em breve poderemos vir a ter um grande aumento na capacidade principalmente das drives M.2 NVMe.

Segundo a Micron, esta nova tecnologia também traz vantagens no que respeita às latências, tanto nos processos de escrita como de leitura. A empresa anuncia uma melhoria de 35 por cento da latência em relação às memórias floating-gate e uma melhoria de 25 por cento em relação às memórias replacement-gate da geração anterior.

Se aquilo que Micron diz em relação à maior resistência destes chips for verdade, será possível substituir os SSD SLC (Single Layer Cell) usados nos data centers por uma solução 3D NAND muitos mais barata. O aumento da densidade também poderá querer dizer que em breve podem começar aparecer dispositivos de armazenagem flash muito mais baratos no mercado de consumo.