Samsung garante ter atingido fabrico a 3 nm GAA “perfeito”

Por: Gustavo Dias
Tempo de leitura: 2 min

Recentemente demos a conhecer que a TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) tinha iniciado a produção em série de componentes semicondutores de 3 nanómetros, com uma taxa de sucesso (yields) superior a 60%, e que na altura a Samsung estava com dificuldades em atingir os 20%.

Felizmente, tem conseguido optimizar o processo de fabrico, e responsáveis da Samsung Foundry afirmaram já terem atingido yields perfeitos para aceitarem grandes volumes de encomendas. A questão é que ninguém foi capaz de especificar que números considera a Samsung como “perfeito” para fazer tal afirmação.

Ao mesmo tempo que realizaram esta afirmação, anunciaram que estão a dar início à segunda geração de processo de fabrico de 3 nm GAA (Gate-All-Around), que deverá ser aplicada já no início do próximo ano. De qualquer das formas, estes anúncios foram fundamentais para garantirem a estabilidade do mercado, que estava demasiado dependente da TSMC, e que por consequência, estaria a inflacionar os preços.

Assim sendo, fabricantes como a Qualcomm e a MediaTek já poderão voltar a considerar a Samsung como fornecedora dos seus chips topo de gama, como o futuro Snapdragon 8 Gen3, que deverá ser fabricado por dois fornecedores distintos, para garantir quantidades (e preços) aceitáveis para o volume de vendas esperado.

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Editor da revista PCGuia, com mais de 10 anos no mercado de publicações tecnológicas. Grande adepto de tudo o que seja tecnológico, ficção científica e quatro rodas.
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