A Samsung apresentou a segunda geração do seu chip de memória DDR4 de 8GB que vai ser produzido com uma tecnologia de 10 nanómetros.
Este chip DRAM, quando comparado à anterior geração, apresenta um aumento de 10% no desempenho, uma poupança de 15% em consumo de energia e opera a uma velocidade de 3600Mbps.
A empresa sul-coreana fez ainda saber que estes resultados só são possíveis uma vez que utiliza novas tecnologias e não recorre ao processo EUV (extreme ultraviolet lithography).
A Samsung vai dirigir todos os esforços no desenvolvimento da próxima geração de chips DRAM e de soluções, incluindo DDR5, HBM3, LPDDR5 e GDDR6, para servidores, dispositivos móveis, supercomputadores, placas gráficas e sistemas HPC (High Performance Computing).
Via Fossbytes, Samsung.
