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Samsung anuncia nova geração de memórias DRAM de 8GB

Samsung DRAM 8GB

A Samsung apresentou a segunda geração do seu chip de memória DDR4 de 8GB que vai ser produzido com uma tecnologia de 10 nanómetros.

Este chip DRAM, quando comparado à anterior geração, apresenta um aumento de 10% no desempenho, uma poupança de 15% em consumo de energia e opera a uma velocidade de 3600Mbps.

A empresa sul-coreana fez ainda saber que estes resultados só são possíveis uma vez que utiliza novas tecnologias e não recorre ao processo EUV (extreme ultraviolet lithography).

A Samsung vai dirigir todos os esforços no desenvolvimento da próxima geração de chips DRAM e de soluções, incluindo DDR5, HBM3, LPDDR5 e GDDR6, para servidores, dispositivos móveis, supercomputadores, placas gráficas e sistemas HPC (High Performance Computing).

Via Fossbytes, Samsung.

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