22 Maio, 2017
Segundo uma notícia do site MyDrivers, o próximo SoC Snapdragon da Qualcomm vai ser produzido através de uma tecnologia FinFET LPE de 10 nanómetros.
De acordo com a mesma notícia, o Snapdragon 845 é composto por quatro núcleos ARM Cortex-A75, quatro núcleos Cortex-A53, um GPU Adreno 630 e suporta a conectividade Wi-Fi 802.11 a/b/g/n/ac/ad, memória LPDDR4X e o armazenamento UFS 2.1.
No que diz respeito ao Kirin 970, este SoC inclui quatro núcleos Cortex-A73, quatro núcleos Cortex-A53 e suporta memória LPDDR4X, armazenamento UFS 2.1 e o Wi-Fi 802.11 a/b/g/n/ac.
Este chip vai ser produzido pela TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) através de uma tecnologia FinFET de 10 nanómetros.
Via WCCFTeck, MyDrivers.
